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世界最高水準の #窒化ガリウム (#GaN) #基板#エピタキシャル層#イオン注入層 における #少数キャリア寿命#ミッドギャップ再結合中心 濃度を #ルミネッセンス法 により包括的に評価。ルミネッセンス法により高感度にGaN中の欠陥濃度を定量化するフレームワークを実現! doi.org/10.1063/5.0201…

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秩父研@東北大(多元研&応物専攻)@ChichibuLab

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