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#テクノロジー・材料#高速デバイス材料 の瞬間的な状態を可視化する #走査電子顕微鏡 技術を開発 半導体GaAs(ガリウムヒ素)基板のデバイス上での金属電極の周囲の電位変化の様子を、43 ピコ秒の時間分解能で可視化することに成功。 tsukuba.ac.jp/journal/techno… #筑波大学

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